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全新技术时代下存储器市场依然炙手可热

(文章滥觞:中国智能化网)

因为DRAM最新制程转换不易,办事器等需求依然畅旺,Mobile DRAM的装载量持续扩大年夜,都给2018年DRAM的商机带来足够的支撑。3D NAND的多层化,既是进入障碍也是商机的滥觞,但非存储器的商机仍旧占了半导体市场的65.5%。假如瞄准未来的市场,CMOS影像传感器(CIS)、行动AP与车联网等三大年夜需求依旧是市场的包管。

更紧张的是台积电、联电称雄晶圆代工业,自然会多元垦植,不让他人问鼎。但三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)都有分散营业过度集中于存储器的策略,大年夜陆的IC设计业也开始超车,系统IC与晶圆代工的竞争依然波涛澎湃。

2017年举世存储器市场为1,303亿美元,比2016年的713亿美元暴增82.6%,预计2018年仍保持26.3%的生长率。在市场的驱动下,韩国两大年夜存储器体业者的本钱支出也持续扩大年夜,直到2018岁尾才呈现减缓的趋势。另据SEMI资料,举世半导体材料市场将从2017年的247亿美元,增添到2018年的278亿美元,生长率12.7%。从2016年开始的半导体高峰期,延续到2018岁尾,半导体业者也顺势推舟,在本钱支出上更进一步的前进。

对比存储器业者2016年的本钱支出为243亿美元,2017年达到401亿美元,2018年预估为440亿美元,也可以理解举世的半导体财产正在投资的高峰期。但美中贸易纷争是破坏市场稳定成长的重大年夜变量,2018岁尾三星的人事结构、扩大策略趋于守旧,显示主力大年夜厂对付2019年的投资采审慎立场。

举世DRAM市场95%以上掌握在前三大年夜厂手中,台湾华邦、旺宏等厂商,仅能在善用产能与前进获利的条件下经营。因为竞争相对缓和,主力大年夜厂在2017年的本钱支出,竟然比2016年削减3.8%。因办事器需求高于预期,新制程转换的历程难度也高于预期,而每台设备所搭载的DRAM也响应前进,是以2018年的企业投资仍高于往年。

2018年起,三星量产1ynm(10nm中段级技巧),因为难度比1xnm(10nm级后段技巧)超过跨过不少,是以在制程转换上比本来估计的要长。SK海力士也将从2017年下半开始提高1xnm的制程,2018年下半期起比重便显明增添,也进入了1ynm等级的工程技巧。

在这种背景下,三星曾明确的表达扩大年夜投资的计画构想,而SK海力士本来计划在2019年启动的增产计画,也提前到2018年下半。在手机市场上,Mobile DRAM受限于手机市场饱和之苦,但即未光降的5G商机、手机游戏、AR/VR、4K影像、聪明城市等领域都将带来宏大年夜的时机。手机搭载DRAM匀称容量从3GB起跳,2019年以致上看10GB;2018年出货的iPhone Xs已应用每层4GB的双层DRAM架构。

相较于DRAM的积极投资,韩国双雄在NAND的投资反而守旧。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态,三星必须积极投资,而SK海力士也必须力图上游。以是各厂的投资都很积极,并往3D多层化的偏向进展。

NAND同样必须以良率在市场上竞争,加以十分耗电,是以小面积、大年夜容量便成为竞争关键。2D的NAND在10xnm阶段便蒙受技巧压力,是以三星、东芝(Toshiba)都向3D成长。相较于2017年,三星2018年的本钱支出会少一点点,但比起往年仍是大年夜幅生长,而SK海力士、美光(Micron)则是积极回应市场的需求。

今朝三星以64层NAND为主力,2018年下半推进到96层,2019年头?年月便会进展到128层。别的,英特尔Intel)与美光也在2018年上半进入96层的技巧规格,2018年中将3D的比重前进到85%以上。为了让每单位的影象容量前进,美日韩存储器大年夜厂都卯尽全力,在96层的堆叠技巧上寻求冲破。三星指出,第五代的96层V NAND量产技巧已经完全降服,而64层的产品在总产量中的比重也将持续前进,借以取得更好的竞争上风。

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